快科技 4 月 9 日消息，Intel 代工宣布了一项半导体领域的重大突破，成功制造出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片，其基底硅片厚度仅为 19 μ m，约为人类头发丝直径的五分之一。

该成果已在 2025 年 IEEE 国际电子器件大会（IEDM）上正式展示。

该 GaN 芯片基于 300mm 硅晶圆制造，是 Intel 首次在标准硅基制造产线上实现 GaN 芯片的量产级工艺。

更重要的是，研究团队成功将 GaN 晶体管与传统硅基数字电路集成在同一芯片上，实现了业界首个完全单片集成的片上数字控制电路。

这意味着电源芯片无需再搭配独立的控制芯片，大幅减少了组件间信号传输的能量损耗。

在性能方面，GaN 材料相比传统硅基 CMOS 芯片具有明显优势，拥有更高的功率密度，能够在更小的空间内实现更强的性能输出。

其更宽的带隙使其在高温环境下更加稳定，硅基芯片在结温超过约 150 ° C 时可靠性会急剧下降，而 GaN 能够承受更高的工作温度，从而减少散热系统的体积和成本。

此外，GaN 晶体管的高频性能使其能够稳定工作在 200GHz 以上频率，天然适配 5G 和 6G 通信系统的射频前端需求。

Intel 表示，该技术已在严格的可靠性测试中通过了实际部署所需的标准验证。

在数据中心场景中，GaN 芯片可实现更快的开关速度和更低的能量损耗，使电压调节器变得更小、更高效，并能更靠近处理器部署，减少长距离供电路径上的电阻损耗。

在无线基础设施领域，GaN 的高频特性使其成为下一代基站射频前端技术的理想选择。

此外，该技术同样适用于雷达系统、卫星通信和光子应用等需要高速电信号切换的场景。

而且 Intel 采用标准 300mm 硅晶圆进行 GaN 生产，与现有硅基制造基础设施完全兼容，这意味着无需大规模新建产线即可实现量产过渡。