【SK 海力士猛攻 1c DRAM：良率已升至 80% 超半数产能年内转换】《科创板日报》9 日讯，SK 海力士正在加快提升其 10 纳米第六代（1c）DRAM 的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK 海力士正集中精力推进 1c DRAM 技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E 核心芯片，并计划于今年交付样品。由于 HBM 的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载 HBM4E 的下一代 AI 加速器 "Vera Rubin Ultra"，SK 海力士必须加快研发步伐。业内人士透露，SK 海力士通用 DRAM 的 1c DRAM 良率已升至 80%。该公司计划今年将其超过一半的 DRAM 产能转换为 1c 工艺产品，预计到年底将确保约 19 万片的产能。