钛媒体快报 03-13
三星电子计划在下一代高带宽存储器(HBM)的基础裸晶上导入2纳米制程
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钛媒体 App 3 月 13 日消息,据台湾电子时报,消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器(HBM)的基础裸晶上导入 2 纳米制程,以同时提升技术竞争力。 ( 科创板日报 )

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