【CNMO 科技消息】据韩媒消息，三星电子在 10 纳米级第 6 代 DRAM"1c" 生产上取得重要进展，其良率已突破 80%，正式进入稳定生产阶段，这预计将助力其提升技术竞争力并改善收益。

据悉，三星电子内部已确认 1c DRAM 良率达到 80%，这是在高温环境（热测试）下取得的最佳良率成绩。此前在去年第四季度，1c DRAM 良率还处于 60 — 70% 的水平，如今已成功提升。

良率是指生产的产品中合格品的比重，80% 的良率意味着生产 100 个 DRAM，其中有 80 个是合格品。通常，DRAM 的稳定良率被认为在 80 — 90%，达到这一水平才能最大化 DRAM 的收益。有业内人士透露，预计到 5 月左右，1c DRAM 良率将达到 90% 左右，凭借高良率有望大幅提升半导体收益。

近期 DRAM 价格持续上涨，营业利润大幅增加，三星电子凭借稳定的良率有望进一步提升利润率。不仅如此，以 1c DRAM 为基础制造的下一代高带宽内存（HBM）"HBM4" 的良率也得到了改善，目前三星电子 HBM4 的良率已接近 60%，去年第四季度还处于 50% 的水平。

1c DRAM 是三星电子的战略产品，是拥有 11 — 12 纳米电路线宽的 DRAM。三星电子 DS 部门副会长全英贤曾亲自指挥设计改进工作，旨在确保 DRAM 的核心竞争力，同时提升堆叠 DRAM 制成的 HBM 能力。