旗舰处理器发热量过大一直都是困扰手机厂商的难题，甚至会给手机厂商带来严重后果。比如当年的骁龙 810 发热量过大，间接导致小米 Note 系列冲高失败。

有的厂商为了压住散热，性能调校就会相对保守，或者索性给手机用上主动散热风扇，但这两种解决方案也会带来一些副作用，比如会让手机变得不够流畅或者机身更加厚重。

芯片厂商也一直在探索如何保证性能的前提下，减少芯片发热量。根据爆料，高通预计在今年推出的骁龙 8 Elite Gen 6 以及 Gen 6 Pro 上采用 HPB 散热技术，让处理器主频能够保底达到 5.0GHz。

HPB 是三星研发的芯片封装级嵌入式散热技术，本质上是一块集成在芯片封装内的高导热铜制微型散热模块，通过重构封装布局，散热体与处理器核心直接接触，从源头上实现高效导出热量。

目前三星已经在自家的 Exynos 2600 上采用了 HPB 技术，虽然还不知道 HPB 散热技术能够带来多少提升，但 Exynos 2600 在光追等项目上的跑分确实超越第五代骁龙 8 至尊版不少，当然这其中肯定也少不了 2nm 工艺制程的功劳。

最近两年，高通的旗舰芯片并没有出现像是此前骁龙 810、骁龙 888 那样发热过大的负面舆论。但是为了发挥出芯片更强的性能，越来越多手机厂商开始采用主动散热风扇技术，比如红魔、荣耀以及 iQOO，据传 REDMI 接下来也将会发布搭载主动散热方案的手机。

虽然主动散热确实一定程度上可以让芯片长时间稳定发挥性能，但也会带来功耗偏高、机身加厚增重、噪音、可靠性等问题。如果芯片厂商能够从源头更好地解决散热问题，那么对于手机厂商以及消费者来说无疑是一个好消息。