快科技 2 月 6 日消息，三星已经将全新的 HPB（Heat Path Block）散热技术应用于自家的 Exynos 2600 芯片，这项设计被视为半导体封装领域的一次卓越突破，能将芯片的热阻降低 16% 并显著优化温控表现。

根据最新的行业报道，高通计划在今年晚些时候亮相的骁龙 8 Elite Gen6 系列中也搭载同款 HPB 技术。目前的爆料显示，高通正以 5.0GHz 甚至更高的主频对骁龙 8 Elite Gen6 进行工程测试。这不仅意味着 HPB 技术已经进入实测阶段，也暗示了该技术是支撑超高频率稳定运行的关键。

从技术原理来看，HPB 是一种直接放置在硅晶圆上的铜制散热块。在传统的芯片设计中，DRAM 内存芯片通常直接堆叠在 SoC 上方，这种结构会形成一个热阱，导致核心热量难以散发，只能依赖外部的 VC 均热板或石墨片进行繁重的导热。

而 HPB 技术则将内存芯片移至处理器侧边，腾出的空间由高导热的铜块直接覆盖在核心上，从源头上缩短了散热路径。

资料显示，骁龙 8 Elite Gen6 系列将首次采用台积电 2nm 工艺制程（N2P），其 CPU 主频有望突破 5.0GHz 大关。对于移动端处理器而言，主频越高，瞬时功耗和发热就越恐怖。如果没有 HPB 这种高效的封装级散热方案，即便有顶级的工艺加持，芯片也很难在如此高的频率下长时间维持性能输出。

对于高通而言，现有的 VC 均热板等被动散热方案已经接近物理极限，很难通过单纯增加散热面积来抑制顶级核心的热量。引入 HPB 技术不仅是一种高效的选择，更预示着未来的旗舰芯片将从单纯的外部导热转向更精密的封装内部热管理，从而让骁龙 8 Elite Gen6 的性能释放更加从容。