三星电子位于美国的首座晶圆厂正加速推进量产进程，计划于今年 3 月启动极紫外光刻设备（EUV）试运行，为特斯拉 AI5 和 AI6 自动驾驶芯片的量产做好前期准备。

据韩国经济日报报道，三星计划分阶段安装蚀刻和沉积设备，预计于 2026 年下半年全面投产。目前三星正筹备向德克萨斯州相关部门申请临时占用许可证，以便在工厂正式竣工前启动生产环节。

现场建设已进入收尾阶段。据媒体援引承包商透露，目前每日约有 7000 名工人在现场施工，其中约 1000 人已入驻厂区办公大楼，整体进度较一年前明显提速。

泰勒工厂规模庞大 预留扩张空间

三星位于美国德克萨斯州的泰勒工厂占地约 485 万平方米，面积已超过其在韩国本土的平泽与华城两座工厂的总和。据《韩国经济日报》报道，该公司已为该基地预留了可再容纳 10 座晶圆厂的土地，显示出其在美扩张的长远布局。

该工厂最初规划为 4nm 芯片生产基地，但最新战略目标已调整为月产 5 万片 2nm 晶圆，体现出其向最先进制程转型的明确方向。此外，报道进一步指出，如果三星能够获得更多客户订单，目前处于建设初期的泰勒第二工厂可能提前投入运营。

2nm 良率挑战仍存 三星加速技术推广

在半导体先进制程的竞争中，良率依然是三星电子面临的核心挑战。据《韩国经济日报》报道，台积电已于 2025 年底在中国台湾工厂启动 2nm 量产，初期良率据悉达 70% 至 90%，而三星的 2nm 试产线仍尚未达到这一水平。

不过，据 G-Enews 最新消息，三星目前已将 2nm 工艺良率提升至约 50%，并开始全面推广其第二代 2nm 技术 SF2P。这一技术进展对三星至关重要，尤其是在其位于美国德克萨斯州的泰勒工厂计划按时间表启动 2nm 产线之际，良率表现将直接关系到其能否如期向特斯拉等关键客户供货。