2023 年末，三星与 ASML签署了一项价值 1 万亿韩元的协议，双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施，共同努力改进 EUV 光刻制造技术，同时三星还获得了 High-NA EUV 光刻设备技术的优先权。不过去年三星 DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资，随即传出可能减少 High-NA EUV 光刻机的采购数量。

据 TrendForce报道，三星已经在本月初在其华城园区引入了首台 ASML 制造的 High-NA EUV 光刻机，型号为 "TWINSCAN EXE:5000"，传闻价格达到了 5000 亿韩元（约合 3.44 亿美元 / 人民币 24.95 亿元）。三星也成为了英特尔（2023 年末）和台积电（2024 年第三季度）之后，第三家安装 High-NA EUV 光刻机的半导体制造商。

按照之前的说法，这台 High-NA EUV 光刻机主要用于技术研发，预计 2025 年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和 DRAM 芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过 High-NA EUV 光刻机实现。此外，三星还与 Lasertec、JSR、Tokyo Electron 和 Synopsys 合作，打造 High-NA EUV 生态系统。

High-NA EUV 光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过 200 片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造 3nm 以下的芯片。其提供了 0.55 数值孔径，与此前配备 0.33 数值孔径透镜的 EUV 系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。