钛媒体 App 11 月 20 日消息，三星电子举行了位于器兴园区的 NRD-K 新半导体研发综合体的进机仪式。NRD-K 半导体研发综合体将成为三星电子 DS 部下属三大事业部（存储器、系统 LSI 和 Foundry）的共同核心研发基地，到 2030 年这一项目将累计获得约 20 万亿韩元的投资。NRD-K 还将包含一条研发专用线，该产线将于 2025 年中投入使用。NRD-K 综合体将导入 ASML High NA EUV 光刻机、新材料沉积设备在内的一系列最先进半导体生产工具，旨在加速 3D DRAM、千层 V-NAND 在内的下代存储芯片开发。